DML（直接调制激光器）

DML设计采用分立反馈结构，其波导拥有一个衍射光栅来稳定工作，进而实现直接调制。它的激光器是分立反馈激光器(DFB)。对于DML激光器而言，调制速度和传输距离是随激光器的频谱线宽而变化。事实上，线宽越窄。调制速度(速率)就越高，传输距离也越长。

数字信号“1”和“0”序列通过调制注入电流被放置在光信号上，这就像一个开/关电信号。因此，DML设计需要由电流直接调制光信号，方法是将激光器“打开”以产生“1”或“关闭”以产生“0”。该调制注入电流由外置IC电路产生，驱动激光器以产生光输出功率。

直接调制会改变激光的特性，例如折射率，从而导致较大的色散。与EML相比，由于更大的色散、更低的频率响应和相对较低的消光比，DML的性能在较远距离(>10公里)时会下降。DML本身是一个单芯片，为运作提供了比较简单的电路布局。因此，它将实现更紧凑的设计和更低的功耗。

EML（电吸收调制激光器）

EML是指集成外置调制器的激光器，这种外置调制器被称为电吸收调制器或单片集成EAM。EML结构和DML相同，但是与DML不同的是EML信号调制不在电流（Ibias）侧而在EMA侧，这表示电信号产生连续的光信号，而电信号on/off是在EAM调制光信号之后进行。

与DML设计相反，EML设计不直接调制激光，拥有不改变激光特性的特点。EML在高速、长途传输应用上具有优势，这是因为它的更小的色散和在高速工作下的稳定波长。

EML的⼀个关键技术就是设法实现DFB激光器与EA调制器的波长匹配，以保证在零调制偏压状态下激光器的输出光可以基本⽆损地通过调制器。

半导体光纤激光器

工作原理是将电流施加到“铟镓砷磷（InGaAsP）光增益介质”材料上，并由该材料激发具有额外能量的电子，这些电子经过一段时间后失去能量的同时，它们会释放一个光子，释放光子是激光的“受激辐射发射”过程。此时，光子的数量依然很少，并在两侧的腔面来回反射，并撞击半导体材料的光敏部分，使这些部分也释放光子，进而产生更多的光，这就是“光放大”。当材料所有部分都产生光时便达到饱和，这些光在非常窄的波长下产生非常强的光束，我们将其称为激光束。光穿过两个腔面之间的材料，在它们之间来回反射光线。然而，其中一个腔面只能部分反射光线，让部分激光逃逸，而逃逸的光构成激光束。

CPO光电共同封装

CPO光电共同封装（Co-package Optics）技术就是在板级或基片级采用裸芯片（如激光器芯片，硅光芯片等）间混合集成封装，有效应对800G以上速率在密度尺寸、功耗、电磁辐射干扰性能及成本等方面的严峻挑战。在可预见的3-5年内，光电共同封装CPO技术将逐渐改变光电互联的技术方案以及业内生态，给光电器件行业带来革命性影响。

PIN光电探测器

P型半导体：含有较高浓度的“空穴”（空穴相当于正电荷），所以是Positive的P，成为能导电的物质；N型半导体：含电子浓度较高的半导体，导电性由自由电子导电，由于电子带负电，所以是Negative的N。

单纯的PN二极管的扩散运动只发生在PN结附近，远离PN结的地方就没有电场存在，这也是PN二极管的光电变换效率低下以及响应速度也很慢。

为了提高转换效率和响应速率，通过在P型和N型半导体之间增加 一层轻掺杂的N型材料I（Intrinsic，本征的）层，以展宽耗尽层，提高转换效率，这是因为轻掺杂I层，电子浓度很低，经扩散后就可以形成一个很宽的耗尽层。这就是PIN型光电二极管。

APD雪崩光电探测器

APD雪崩光电探测器具有较高的接收机灵敏度，这个较高灵敏度靠的就是对初级的光电流进行雪崩倍增效果。光子照射在半导体材料上产生光生载流子；光生载流子在雪崩区即高电场区发生雪崩倍增；光电流在外部电路作用下形成电信号并输出。

雪崩光电二极管也就是在PIN光电二极管的基础结构中增加了雪崩区。使得光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应激发出新的电子-空穴对，新产生的载流子通过电场加速，导致更多的碰撞电离产生，一生二，二生三，三生万物，从而获得光生电流的雪崩倍增。